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W949D2DBJX数据手册集成电路（IC）的存储器规格书PDF
W949D2DBJX规格书详情
描述 Description
This is a 512Mb Low Power DDR SDRAM organized as 2M words x 4 banks x 32bits
特性 Features
•Power supply VDD = 1.7V~1.95V、VDDQ = 1.7V~1.95V
• Data width: x32
• Burst Type: Sequential or Interleave、Clock rate : 166MHz, 200MHz
• Standard Self Refresh Mode
• PASR、ATCSR、Power Down Mode、DPD
• Programmable output buffer driver strength
• Four internal banks for concurrent operation
• CAS Latency: 2 and 3
• Burst Length: 2、4 、8 and 16
• Operating Temperature Range: Extended (-25°C ~ 85°C), Industrial (-40°C ~ 85°C)
• Bidirectional, data strobe (DQS) is transmitted or received with data, to be used in capturing data at the receiver
• Package:90VFBGA
技术参数
- 产品编号：
W949D2DBJX5E TR
- 制造商：
Winbond Electronics
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
卷带（TR）
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
DRAM
- 技术：
SDRAM - 移动 LPDDR
- 存储容量：
512Mb（16M x 32）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
15ns
- 电压 - 供电：
1.7V ~ 1.95V
- 工作温度：
-25°C ~ 85°C（TC）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
90-TFBGA
- 供应商器件封装：
90-VFBGA（8x13）
- 描述：
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90VFBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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