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W948D2FBJX中文资料低功耗双存取同步动态随机存取内存(Low Power DDR SDRAM)数据手册Winbond规格书
W948D2FBJX规格书详情
描述 Description
This is a 256Mb Low Power DDR SDRAM organized as 2M words x 4 banks x 32bits
特性 Features
•Power supply VDD = 1.7V~1.95V、VDDQ = 1.7V~1.95V
• Data width: x32
• Burst Type: Sequential or Interleave、Clock rate : 166MHz, 200MHz
• Standard Self Refresh Mode
• PASR、ATCSR、Power Down Mode、DPD
• Programmable output buffer driver strength
• Four internal banks for concurrent operation
• CAS Latency: 2 and 3
• Burst Length: 2、4 、8 and 16
• Operating Temperature Range: Extended (-25°C ~ 85°C), Industrial (-40°C ~ 85°C)
• Bidirectional, data strobe (DQS) is transmitted or received with data, to be used in capturing data at the receiver
• Package:90VFBGA
技术参数
- 产品编号:
W948D2FBJX5E TR
- 制造商:
Winbond Electronics
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
DRAM
- 技术:
SDRAM - 移动 LPDDR
- 存储容量:
256Mb(8M x 32)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
15ns
- 电压 - 供电:
1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:
-25°C ~ 85°C(TC)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
90-TFBGA
- 供应商器件封装:
90-VFBGA(8x13)
- 描述:
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90VFBGA
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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