W25N02JWSFIF资料使用说明书贸易商华瑞-114ic电子网

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
W25N02JWSFIF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：2G-BIT SERIAL NAND FLASH, 1.8V	Winbond Electronics	Winbond Electronics
W25N02JWSFIF TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：2G-BIT SERIAL NAND FLASH, 1.8V	Winbond Electronics	Winbond Electronics
CED25N02	文件：535.65 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 20V, 25A, RDS(ON) = 23mW @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RDS(ON) = 33mW @VGS = 2.5V. RoHS compliant. 文件：535.65 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEU25N02	文件：535.65 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 20V, 25A, RDS(ON) = 23mW @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RDS(ON) = 33mW @VGS = 2.5V. RoHS compliant. 文件：535.65 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
SDD25N02	文件：75.58 Kbytes Page：1 Pages	Discrete Diodes 文件：75.58 Kbytes 页数：1 Pages	SIRECTIFIER 矽莱克电子	SIRECTIFIER

更多W25N02JWSFIF供应商更新时间2025-12-16 11:06:00