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CED25N02

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 20V, 25A, RDS(ON) = 23mW @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RDS(ON) = 33mW @VGS = 2.5V. RoHS compliant.

文件:535.65 Kbytes 页数:4 Pages

CET-MOS

华瑞

CED25N02

N Channel MOSFET

CET

华瑞

CEU25N02

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 20V, 25A, RDS(ON) = 23mW @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RDS(ON) = 33mW @VGS = 2.5V. RoHS compliant.

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CET-MOS

华瑞

SDD25N02

Discrete Diodes

文件:75.58 Kbytes 页数:1 Pages

SIRECTIFIER

矽莱克电子

技术参数

  • BVDSS(V):

    20

  • Rds(on)mΩ@4.5V:

    23

  • Rds(on)mΩ@2.5V:

    33

  • ID(A):

    25

  • Qg(nC)@4.5V(typ):

    11

  • RθJC(℃/W):

    5

  • Pd(W):

    25

  • Configuration:

    Single

  • Polarity:

    N

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Central Semiconductor Corp
25+
SC-101 SOT-883
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
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CET/華瑞
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T0-251
50000
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CET/華瑞
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CET/華瑞
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CET
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CET
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TO251
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CET/華瑞
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TO-251
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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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更多CED25N02供应商 更新时间2025-12-10 14:50:00