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CEU25N02	文件：535.65 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 20V, 25A, RDS(ON) = 23mW @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RDS(ON) = 33mW @VGS = 2.5V. RoHS compliant. 文件：535.65 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEU25N02	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET	CET 华瑞	CET
SDD25N02	文件：75.58 Kbytes Page：1 Pages	Discrete Diodes 文件：75.58 Kbytes 页数：1 Pages	SIRECTIFIER 矽莱克电子	SIRECTIFIER
CED25N02	文件：535.65 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 20V, 25A, RDS(ON) = 23mW @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RDS(ON) = 33mW @VGS = 2.5V. RoHS compliant. 文件：535.65 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS

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