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W25N02JWSFIC	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：2G-BIT SERIAL NAND FLASH, 1.8V	Winbond Electronics Winbond Electronics	Winbond Electronics
W25N02JWSFIC TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：2G-BIT SERIAL NAND FLASH, 1.8V	Winbond Electronics Winbond Electronics	Winbond Electronics
CED25N02	文件：535.65 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 20V,25A,RDS(ON)=23mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=33mW@VGS=2.5V. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU25N02	文件：535.65 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 20V,25A,RDS(ON)=23mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=33mW@VGS=2.5V. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
SDD25N02	文件：75.58 Kbytes Page：1 Pages	DiscreteDiodes	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER

更多W25N02JWSFIC供应商更新时间2024-9-21 15:00:00