Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A

Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;

Vishay

威世

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A

Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;

Vishay

威世

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A

分立 ·Trench MOS Schottky technology\n·Low forward voltage drop, low power losses\n·High efficiency operation;

Vishay

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Package：TO-220-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE SCHOTTKY 10A 80V TO-220AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-220-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE SCHOTTKY 10A 80V TO-220AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-220-3；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE SCHOTTKY 10A 80V TO-220AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division