MOSFET

P沟道增强型功率MOSFET采用Trench工艺针对更低Rds(on)和更高载流能力进行优化。该类产品非常适合要求高性能和耐用性的中低频应用，如电子烟、负载开关等。 1.较低的导通损耗和开关损耗\n2.雪崩能力强\n3.100%雪崩测试\n4.无铅电镀；符合 RoHS 标准;

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威兆半导体

2.5V Drive Pch MOS FET

Features 1) Low On-resistance. 2) Small package (EMT3). 3) 2.5V drive. Applications Switching

文件：65.44 Kbytes 页数：3 Pages

ROHM

罗姆

2.5V Drive Pch MOS FET

Features 1) Low On-resistance. 2) Small package (EMT3). 3) 2.5V drive. Applications Switching

文件：58.59 Kbytes 页数：4 Pages

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2.5V Drive Pch MOS FET

Features 1) Low On-resistance. 2) Small package (EMT3). 3) 2.5V drive. Applications Switching

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