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VSO100N10MS

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 UIS Tested APPLICATIONS • High Frequency Boost Converter • LED Backlight for LCD TV

文件:469.87 Kbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

VSO100N10MS

N-Channel Mosfet

• N-Channel\n• Enhancement mode\n• Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V \n• Fast Switching\n• Pb-free lead plating, RoHS compliant;

Vergiga

威兆半导体

Y100N10E

TMOS POWER FET 100 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.011 OHM

TMOS E-FET™ Power Field Effect transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This advanced TMOS power FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. This new energy efficient design also offers a drain–to–source diode with fast recovery time. Designed for h

文件:216.62 Kbytes 页数:8 Pages

Motorola

摩托罗拉

100N10B

N-Channel Power MOSFET

文件:583.28 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BR100N10

N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package

文件:1.06059 Mbytes 页数:6 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

BRB100N10

N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package

文件:893.02 Kbytes 页数:6 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

技术参数

  • Type:

    Single-N

  • ESD:

    NO

  • Package:

    SOP8

  • BVDSS[V]:

    100

  • VGS Max[V]:

    16

  • VTH Typ[V]:

    1.5

  • RDS(ON) Max 10V:

    90.0

  • RDS(ON) Max 4.5V:

    100.0

  • ID(A)@25℃:

    6.0

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多VSO100N10MS供应商 更新时间2025-10-8 14:00:00