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VSO013N10MS

N-Channel Mosfet

• N-Channel\n• Enhancement mode\n• Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V \n• Fast Switching\n• Pb-free lead plating, RoHS compliant;

Vergiga

威兆半导体

VSO013N10MS

N-Channel MOSFET uses advanced SGT technology

文件:577.33 Kbytes 页数:4 Pages

DOINGTER

杜因特

VSO013N10MSK

MOSFET

N沟道增强型功率MOSFET采用VitoMOSⅡ技术制造,具有更低的导通损耗和开关损耗以及优越的开关性能。该产品可广泛应用于快充等领域。 1.VitoMOSⅡ 技术\n2.极低的Qg\n3.更低的导通损耗和开关损耗\n4.100%雪崩测试\n5.无铅电镀;符合 RoHS 标准;

Vergiga

威兆半导体

VST013N10MS

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.51887 Mbytes 页数:5 Pages

DOINGTER

杜因特

技术参数

  • Type:

    Single-N

  • ESD:

    NO

  • Package:

    SOP8

  • BVDSS[V]:

    100

  • VGS Max[V]:

    20

  • VTH Typ[V]:

    2.0

  • RDS(ON) Max 10V:

    13.0

  • RDS(ON) Max 4.5V:

    15.0

  • ID(A)@25℃:

    12.0

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更多VSO013N10MS供应商 更新时间2025-10-6 14:04:00