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VSE009NE6MS-G

MOSFET

N沟道增强型功率MOSFET采用VitoMOSⅡ技术制造,具有更低的导通损耗和开关损耗以及优越的开关性能。该产品可广泛应用于快充、无线充等领域。 1.VitoMOSⅡ 技术\n2.极低的Qg\n3.更低的导通损耗和开关损耗\n4.100%雪崩测试\n5.无铅电镀;符合 RoHS 标准;

Vergiga

威兆半导体

VS-E5TH3012S2LHM3

TO-263-3

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

上传:深圳市斌腾达科技有限公司

VS-EPH3006LHN3

TO-247

VISHAY/威世

VS-ETU3006-M3

TO-220

VISHAY/威世

VS-GT100DA120UF

Module

Vishay Semiconductors

上传:深圳市华睿芯科技有限公司

Vishay Semiconductors

技术参数

  • BVDSS[V]:

    60.00

  • BVGS[V]:

    20.00

  • Vth[V]_min:

    2.30

  • Vth[V]_max:

    3.40

  • ID[A]:

    50.00

  • RDS (on) Typ[Ω]@10V:

    7.00

  • RDS (on) Typ[Ω]@4.5V:

    12.00

  • Ciss:

    1145.00

  • Coss:

    435.00

  • Crss:

    15.00

  • Package:

    PDFN3333

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
24+
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一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
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DFN3333-8
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VANGUARD/威兆
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NA
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VANGUARD/威兆
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PDFN3333
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HAMOS/汉姆
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PDFN3333
60000
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HAMOS/汉姆
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全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈
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PDFN3333
105000
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更多VSE009NE6MS-G供应商 更新时间2025-11-3 11:06:00