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VSD045P10MS

MOSFET

P沟道增强型功率MOSFET采用Trench工艺针对更低Rds(on)和更高载流能力进行优化。该类产品非常适合要求高性能和耐用性的中低频应用,如负载开关、马达驱动和电池保护等。 1.P沟道增强型MOSFET\n2.较低的导通损耗和开关损耗\n3.雪崩能力强;

Vergiga

威兆半导体

VS-E5TH3012S2LHM3

VISHAY
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威世

上传:深圳市斌腾达科技有限公司

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VS-ETU3006-M3

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VISHAY/威世

VS-GT100DA120UF

Vishay Semiconductors
Module

Vishay Semiconductors

上传:深圳市华睿芯科技有限公司

Vishay Semiconductors

技术参数

  • BVDSS[V]:

    -100.00

  • bVGS[V]:

    20.00

  • vth_min:

    -1.30

  • vth_max:

    -2.40

  • ID[A]:

    -35.00

  • PD[W]:

    100.00

  • RDS (on) Typ[mR]@10V:

    46.00

  • RDS (on) Typ[mR]@4.5V:

    51.00

  • RDS (on) Typ[mR]@2.5V:

    0.00

  • RDS (on) Typ[mR]@1.8V:

    0.00

  • Ciss:

    4585.00

  • Coss:

    180.00

  • Crss:

    105.00

  • Qg(10V)[nC]:

    71.00

  • Qg(4.5V)[nC]:

    0.00

  • Package:

    TO-252

  • Technology:

    Trench MOS

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多VSD045P10MS供应商 更新时间2025-10-11 14:01:00