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DME10P15K-F	文件：210.39 Kbytes Page：4 Pages	PolyesterFilmCapacitorsMetallizedRadialLeads MetallizedRadialLeads DCApplicationsMiniatureSize TypeDMEradial-leaded,mini-dippedcapacitorsdelivervirtuallythesameperformanceofothercapacitorsphysicallytwiceasbig.Improvementsinflmtechnologypermittheuseofthinnerdielectric.TypeDMEselfhealsshortscausedbyover	CDE Cornell Dubilier Electronics	CDE
DME10P15K-F	文件：493.26 Kbytes Page：4 Pages	TypeDMEPolyesterFilmCapacitors	CDE Cornell Dubilier Electronics	CDE
IXTA10P15T	文件：187.34 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTP10P15T	文件：187.34 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTY10P15T	文件：187.34 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
MMWA10P15K-F	文件：520.809 Kbytes Page：2 Pages	PolyesterFilmCapacitors	CDE Cornell Dubilier Electronics	CDE
MMWA10P15K-F	文件：74.43 Kbytes Page：3 Pages	HighCapacitance,HighVoltage	CDE Cornell Dubilier Electronics	CDE
RFM10P15	文件：242.88 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENT-MODEPOWERFIELD-EFFECTTRANSISTORS P-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors Features: ■SOAispower-dissipationlimited ■Nanosecondeswitchingspeeds ■Lineartransfercharacteristics ■Highinputimpedance ■Majoritycarrierdevice	GESSGE Solid State GE Solid State	GESS
RFP10P15	文件：305.11 Kbytes Page：5 Pages	-10A,-150V,0.500Ohm,P-ChannelPowerMOSFET ThisP-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconvertors,motordrivers,relaydrivers,anddriversforhighpowerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgatedrivepower.Thesety	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
RFP10P15	文件：242.88 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENT-MODEPOWERFIELD-EFFECTTRANSISTORS P-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors Features: ■SOAispower-dissipationlimited ■Nanosecondeswitchingspeeds ■Lineartransfercharacteristics ■Highinputimpedance ■Majoritycarrierdevice	GESSGE Solid State GE Solid State	GESS
V10P15	文件：100.98 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurfaceMountTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V10P15	文件：101.62 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurfaceMountTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •Idealforautomatedplacement •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VS10P15	文件：752.52 Kbytes Page：7 Pages	HIGHPOWEREDMULTI-LINEVSIP짰TVSARRAY	PROTECProtek Devices Protek Devices	PROTEC
VS10P15	文件：750.7 Kbytes Page：7 Pages	Highpoweredmulti-lineVSIP짰tvsarray	PROTECProtek Devices Protek Devices	PROTEC
VS10P15C	文件：750.7 Kbytes Page：7 Pages	Highpoweredmulti-lineVSIP짰tvsarray	PROTECProtek Devices Protek Devices	PROTEC
VS10P15C	文件：752.52 Kbytes Page：7 Pages	HIGHPOWEREDMULTI-LINEVSIP짰TVSARRAY	PROTECProtek Devices Protek Devices	PROTEC
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VS10P15LC	文件：752.52 Kbytes Page：7 Pages	HIGHPOWEREDMULTI-LINEVSIP짰TVSARRAY	PROTECProtek Devices Protek Devices	PROTEC
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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市百诺芯科技有限公司	VSB10P15LC-LF	PROTEK/普罗太克	23+	NA	12730	原装正品代理渠道价格优势	询价
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更多VSB10P15LCI-LF供应商更新时间2024-6-13 16:00:00

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