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VS8068ATD	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N沟道增强型功率MOSFET采用Trench工艺针对更低Rds(on)和更高载流能力进行优化。该类产品非常适合要求高性能和耐用性的中低频应用，如电池保护和马达驱动等。 1.较低的导通损耗和开关损耗\n2.雪崩能力强\n3.100%雪崩测试;	Vergiga 威兆半导体	Vergiga
YQS8068	文件：114.42 Kbytes Page：2 Pages	Thermometrics PTC Thermistors 文件：114.42 Kbytes 页数：2 Pages	AMPHENOL 安费诺	AMPHENOL
MAZ8068	文件：69.48 Kbytes Page：5 Pages	Silicon planar type Silicon planar type For stabilization of power supply ■Features •Extremely low noise voltage caused from the diode (2.4V to 39V, 1/3 to 1/10 of our conventional MAZ3000 series) •Extremely good rising performance (in the low-current range) •Easy-to-select the optimum diode because 文件：69.48 Kbytes 页数：5 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
MAZ8068-H	文件：69.48 Kbytes Page：5 Pages	Silicon planar type Silicon planar type For stabilization of power supply ■Features •Extremely low noise voltage caused from the diode (2.4V to 39V, 1/3 to 1/10 of our conventional MAZ3000 series) •Extremely good rising performance (in the low-current range) •Easy-to-select the optimum diode because 文件：69.48 Kbytes 页数：5 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
MAZ8068-L	文件：69.48 Kbytes Page：5 Pages	Silicon planar type Silicon planar type For stabilization of power supply ■Features •Extremely low noise voltage caused from the diode (2.4V to 39V, 1/3 to 1/10 of our conventional MAZ3000 series) •Extremely good rising performance (in the low-current range) •Easy-to-select the optimum diode because 文件：69.48 Kbytes 页数：5 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC

技术参数

BVDSS[V]：
80.00
bVGS[V]：
20.00
vth_min：
1.30
vth_max：
2.30
ID[A]：
70.00
PD[W]：
115.00
RDS (on) Typ[mR]@10V：
12.00
RDS (on) Typ[mR]@4.5V：
13.00
RDS (on) Typ[mR]@2.5V：
0.00
RDS (on) Typ[mR]@1.8V：
0.00
Ciss：
5045.00
Coss：
195.00
Crss：
165.00
Qg(10V)[nC]：
82.00
Qg(4.5V)[nC]：
0.00
Package：
TO-263
Technology：
Trench MOS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市盈慧通电子有限公司	VS8068ATD	VANGUARD/威兆	2511	TO-263	360000	电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价	询价
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