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VS6622AD	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N沟道增强型功率MOSFET采用Trench工艺针对更低Rds(on)和更高载流能力进行优化。该类产品非常适合要求高性能和耐用性的中低频应用，如电池保护和马达驱动等。 1.较低的导通损耗和开关损耗\n2.雪崩能力强\n3.100%雪崩测试;	Vergiga 威兆半导体	Vergiga
LMH6622	文件：540.6 Kbytes Page：18 Pages	Dual Wideband, Low Noise, 160MHz, Operational Amplifiers 文件：540.6 Kbytes 页数：18 Pages	NSC 国半	NSC
LMH6622MM	文件：540.6 Kbytes Page：18 Pages	Dual Wideband, Low Noise, 160MHz, Operational Amplifiers 文件：540.6 Kbytes 页数：18 Pages	NSC 国半	NSC
LMH6622MMX	文件：540.6 Kbytes Page：18 Pages	Dual Wideband, Low Noise, 160MHz, Operational Amplifiers 文件：540.6 Kbytes 页数：18 Pages	NSC 国半	NSC

技术参数

BVDSS[V]：
60.00
BVGS[V]：
20.00
Vth[V]_min：
1.30
Vth[V]_max：
2.40
ID[A]：
25.00
RDS (on) Typ[Ω]@10V：
36.00
RDS (on) Typ[Ω]@4.5V：
43.00
Ciss：
990.00
Coss：
50.00
Crss：
35.00
Package：
TO-252

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市南科功率半导体有限公司	VS6622AD	NK/南科功率	2025+	TO-252	986966	国产	询价
深圳市盈慧通电子有限公司	VS6622AD	VANGUARD/威兆	2511	TO-252	360000	电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价	询价
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深圳市中飞凌科技有限公司	VS6624Q0KP/TR	ST	26+	NA	60000	只有原装可配单	询价
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更多VS6622AD供应商更新时间2026-4-2 14:01:00

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