MOSFET

N沟道增强型功率MOSFET采用Trench工艺针对更低Rds(on)和更高载流能力进行优化。该类产品非常适合要求高性能和耐用性的中低频应用，如快充和无线充等。\n\n 1.较低的导通损耗和开关损耗\n2.雪崩能力强\n3.100%雪崩测试\n;

Vergiga

威兆半导体

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件：1.41126 Mbytes 页数：5 Pages

DOINGTER

杜因特

0.8uA Low Power Consumption Dual Voltage Regulator

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TOREX

特瑞仕

AC Output Buffered Modules

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CRYDOM

CUSTOMER PRODUCT SPECIFICATION

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ALPHAWIRE

DC axial fans

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EBMPAPST

依必安派特