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VS4614AS-A	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N沟道增强型功率MOSFET采用Trench工艺针对更低Rds(on)和更高载流能力进行优化。该类产品非常适合要求高性能和耐用性的中低频应用，如负载开关和马达驱动等。\n\n 1.较低的导通损耗和开关损耗\n2.雪崩能力强\n3.100%雪崩测试\n;	Vergiga 威兆半导体	Vergiga
4614	文件：29.03 Kbytes Page：1 Pages	Mounting Base, Triple Banana Jack and Binding Post, Miniature 文件：29.03 Kbytes 页数：1 Pages	POMONA Pomona Electronics	POMONA
4614	文件：238.9 Kbytes Page：7 Pages	40V Dual P N-Channel MOSFET 文件：238.9 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
4614	文件：340.26 Kbytes Page：1 Pages	Heyco®-Tite EMC Brass Liquid Tight Cordgrips 文件：340.26 Kbytes 页数：1 Pages	Heyco	Heyco

技术参数

BVDSS[V]：
45.00
bVGS[V]：
20.00
vth_min：
1.30
vth_max：
2.50
ID[A]：
13.00
PD[W]：
3.10
RDS (on) Typ[mR]@10V：
11.00
RDS (on) Typ[mR]@4.5V：
17.00
RDS (on) Typ[mR]@2.5V：
0.00
RDS (on) Typ[mR]@1.8V：
0.00
Ciss：
1280.00
Coss：
115.00
Crss：
75.00
Qg(10V)[nC]：
20.00
Qg(4.5V)[nC]：
9.50
Package：
SOP8
Technology：
Trench MOS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多VS4614AS-A供应商更新时间2025-10-30 14:01:00

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