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VS4407AS	文件：1.80865 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.80865 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
VS4407BS	文件：1.1663 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.1663 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
VS4449AS	文件：1.08575 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.08575 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
VS448X	文件：181.74 Kbytes Page：2 Pages	2 Amp Fast Recovery Time Epoxy Bridge Rectifiers 文件：181.74 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
VS4518AS	文件：1.30138 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.30138 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
VS4559MS	文件：3.48585 Mbytes Page：7 Pages	N-Chanel and P-Channel MOSFET use advanced trench technology 文件：3.48585 Mbytes 页数：7 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
VS4604AT	文件：1.59029 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.59029 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
VS4805DS	文件：1.17885 Mbytes Page：4 Pages	Dual P-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.17885 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
VS4812DS	文件：1.40908 Mbytes Page：5 Pages	Dual N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.40908 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
VS48CTQ060-1-M3	文件：183.95 Kbytes Page：9 Pages	High Performance Schottky Rectifiers 文件：183.95 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

技术参数

Type：
Single-N
ESD：
NO
Package：
TO-252
BVDSS[V]：
45
VGS Max[V]：
20
VTH Typ[V]：
2.0
RDS(ON) Max 10V：
5.0
RDS(ON) Max 4.5V：
7.0
ID(A)@25℃：
105.0

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多VS4供应商更新时间2026-4-1 16:01:00

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