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VS4V8BU1AR	文件：937.65 Kbytes Page：7 Pages	Transient Voltage Suppressor ●Features High reliability wireless package Bi-directional ESD protection IEC61000-4-2 Level4: ±30kV Contact Discharge IEC61000-4-5 (Lightning) 100A (8/20μs) 文件：937.65 Kbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
VS4/9	文件：346.56 Kbytes Page：8 Pages	VS Series 文件：346.56 Kbytes 页数：8 Pages	EMERSON-NETWORKPOWER 艾默生	EMERSON-NETWORKPOWER
VS400M	文件：39.26 Kbytes Page：2 Pages	SERIAL DIGITAL VIDEO PASSIVE SIGNAL SPLITTER 文件：39.26 Kbytes 页数：2 Pages	FARADAY Faraday Technology	FARADAY
VS40120AD	文件：1.71083 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced SGT technology 文件：1.71083 Mbytes 页数：6 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
VS402	文件：569.52 Kbytes Page：6 Pages	Dual Frequency VCSO 文件：569.52 Kbytes 页数：6 Pages	VECTRON	VECTRON
VS40200AD	文件：2.30959 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced SGT technology 文件：2.30959 Mbytes 页数：6 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
VS40280AT	文件：2.81871 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：2.81871 Mbytes 页数：6 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
VS4080AD	文件：2.6117 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：2.6117 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
VS40N10AT	文件：942.11 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：942.11 Kbytes 页数：3 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
VS4310AT	文件：1.51158 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.51158 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER

技术参数

Type：
Single-N
ESD：
NO
Package：
TO-252
BVDSS[V]：
45
VGS Max[V]：
20
VTH Typ[V]：
2.0
RDS(ON) Max 10V：
5.0
RDS(ON) Max 4.5V：
7.0
ID(A)@25℃：
105.0

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