VS2522AA2数据手册Vergiga中文资料规格书
VS2522AA2规格书详情
描述 Description
P沟道增强型功率MOSFET采用Trench工艺针对更低Rds(on)和更高载流能力进行优化。该类产品非常适合要求高性能和耐用性的中低频应用,如无线充等。
特性 Features
1.较低的导通损耗和开关损耗
2.雪崩能力强
3.100%雪崩测试
4.无铅电镀;符合 RoHS 标准
技术参数
- 制造商编号
:VS2522AA2
- 生产厂家
:Vergiga
- ESD
:-
- BVDSS[V]
:-20.00
- bVGS[V]
:20.00
- vth_min
:-0.40
- vth_max
:-1.00
- ID[A]
:-9.00
- PD[W]
:2.50
- RDS (on) Typ[mR]@10V
:0.00
- RDS (on) Typ[mR]@4.5V
:21.00
- RDS (on) Typ[mR]@2.5V
:29.00
- RDS (on) Typ[mR]@1.8V
:0.00
- Ciss
:1645.00
- Coss
:175.00
- Crss
:140.00
- Qg(10V)[nC]
:16.00
- Qg(4.5V)[nC]
:0.00
- Package
:DFN2x2x0.45-6L
- Technology
:Trench MOS
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VANGUARD |
24+ |
NA/ |
15913 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
SPAMSIO |
2016+ |
BGA |
3000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
SPANSION/飞索半导体 |
25+ |
BGA |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
询价 | ||
SPANSIO |
24+ |
BGA |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
VANGUARD |
23+ |
SOT23-3L |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
SAMSUNG/三星 |
2020+ |
BGA |
420 |
原装现货,优势渠道订货假一赔十 |
询价 | ||
SPAMSIO |
25+ |
BGA |
8800 |
公司只做原装,详情来电咨询 |
询价 | ||
威兆/VS |
1948+ |
SOT23-3L |
18562 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
询价 | ||
SPANSIO |
23+ |
BGA |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
SAMSUNG |
25+23+ |
BGA |
24364 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 |