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VS2508AE数据手册Vergiga中文资料规格书

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厂商型号

VS2508AE

功能描述

MOSFET

制造商

Vergiga Shenzhen Vergiga Semiconductor Co., LTD.

中文名称

威兆半导体 深圳市威兆半导体股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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VS2508AE规格书详情

描述 Description

P沟道增强型功率MOSFET采用Trench工艺针对更低Rds(on)和更高载流能力进行优化。该类产品非常适合要求高性能和耐用性的中低频应用,如电子烟、负载开关等。

特性 Features

1.较低的导通损耗和开关损耗
2.雪崩能力强
3.100%雪崩测试
4.无铅电镀;符合 RoHS 标准

技术参数

  • 制造商编号

    :VS2508AE

  • 生产厂家

    :Vergiga

  • ESD

    :-

  • BVDSS[V]

    :-20.00

  • bVGS[V]

    :8.00

  • vth_min

    :-0.30

  • vth_max

    :-1.00

  • ID[A]

    :-55.00

  • PD[W]

    :38.00

  • RDS (on) Typ[mR]@10V

    :0.00

  • RDS (on) Typ[mR]@4.5V

    :7.30

  • RDS (on) Typ[mR]@2.5V

    :10.00

  • RDS (on) Typ[mR]@1.8V

    :16.00

  • Ciss

    :4590.00

  • Coss

    :505.00

  • Crss

    :440.00

  • Qg(10V)[nC]

    :49.00

  • Qg(4.5V)[nC]

    :0.00

  • Package

    :PDFN3333

  • Technology

    :Trench MOS

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
HAMOS/汉姆
24+
NA/
33250
原装现货,当天可交货,原型号开票
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VANGUARD/威兆
25+
918000
明嘉莱只做原装正品现货
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VANGUARD
23+
PDFN3333
50000
原装正品 支持实单
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VANGUARD/威兆
2450+
DFN8
6540
只做原厂原装正品终端客户免费申请样品
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VANGUARD/威兆
24+
PDFN3333
50000
专营威兆原装正品保障
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11200
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VANGUARD
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9600
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VANGUARD/威兆
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PDFN3333
360000
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