VS2510AE数据手册Vergiga中文资料规格书
VS2510AE规格书详情
描述 Description
P沟道增强型功率MOSFET采用Trench工艺针对更低Rds(on)和更高载流能力进行优化。该类产品非常适合要求高性能和耐用性的中低频应用，如电子烟、负载开关等。
特性 Features
1.较低的导通损耗和开关损耗
2.雪崩能力强
3.100%雪崩测试
4.无铅电镀；符合 RoHS 标准
技术参数
- 制造商编号
：VS2510AE
- 生产厂家
：Vergiga
- ESD
：-
- BVDSS[V]
：-20.00
- bVGS[V]
：12.00
- vth_min
：-0.30
- vth_max
：-1.00
- ID[A]
：-45.00
- PD[W]
：33.00
- RDS (on) Typ[mR]@10V
：0.00
- RDS (on) Typ[mR]@4.5V
：10.00
- RDS (on) Typ[mR]@2.5V
：15.00
- RDS (on) Typ[mR]@1.8V
：26.00
- Ciss
：3650.00
- Coss
：395.00
- Crss
：340.00
- Qg(10V)[nC]
：33.00
- Qg(4.5V)[nC]
：0.00
- Package
：PDFN3333
- Technology
：Trench MOS
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HAMOS/汉姆 |
24+ |
NA/ |
33250 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
SPANSION/飞索半导体 |
25+ |
BGA |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
询价 | ||
SPANSIO |
24+ |
BGA |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
VANGUARD |
23+ |
SOT23-3L |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
SAMSUNG/三星 |
2020+ |
BGA |
420 |
原装现货,优势渠道订货假一赔十 |
询价 | ||
威兆/VS |
1948+ |
SOT23-3L |
18562 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
询价 | ||
VANGUARD |
23+ |
SOP-8 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
SAMSUNG |
25+23+ |
BGA |
24364 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
SPAMSIO |
24+ |
BGA |
22055 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
VANGUARD |
24+ |
SOT23-3L |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 |
