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VQ2001J | P-Channel 30-V (D-S) MOSFETs features High-Side Switching Low On-Resistance: 1.5 Moderate Threshold: –3.1 V Fast Switching Speed: 17 ns Low Input Capacitance: 60 pF benefits Ease in Driving Switches Low Offset (Error) Voltage Low-Voltage Operation High-Speed Switching Easily Driven Without B 文件:56.09 Kbytes 页数:5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | |
VQ2001J | P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistors 文件:250.87 Kbytes 页数:4 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | |
VQ2001J | P-Channel 30-V (D-S) MOSFETs 文件:42.19 Kbytes 页数:4 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | |
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P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistors 文件:250.87 Kbytes 页数:4 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
P-Channel 30-V (D-S) MOSFETs features High-Side Switching Low On-Resistance: 1.5 Moderate Threshold: –3.1 V Fast Switching Speed: 17 ns Low Input Capacitance: 60 pF benefits Ease in Driving Switches Low Offset (Error) Voltage Low-Voltage Operation High-Speed Switching Easily Driven Without B 文件:56.09 Kbytes 页数:5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY |
详细参数
- 型号:
VQ2001J
- 功能描述:
MOSFET Quad 30V 0.6A
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SILICON |
10+ |
DIP14 |
7800 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
DG/SIL |
24+ |
DIP |
150 |
询价 | |||
SILICON |
23+ |
DIP |
8650 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
询价 | ||
SIL |
23+ |
DIP |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
2022+ |
DIP |
2798 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | |||
Siliconix |
25+ |
155 |
公司优势库存 热卖中!! |
询价 | |||
23+ |
DIP14 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | |||
N/A |
22+ |
DIP |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
SIL |
23+ |
DIP |
65 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
SILICON |
24+ |
DIP |
8000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 |
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