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VQ2001P	文件：56.09 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFETs features High-SideSwitching LowOn-Resistance:1.5 ModerateThreshold:–3.1V FastSwitchingSpeed:17ns LowInputCapacitance:60pF benefits EaseinDrivingSwitches LowOffset(Error)Voltage Low-VoltageOperation High-SpeedSwitching EasilyDrivenWithoutB	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VQ2001P	文件：250.87 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistors	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VQ2001P	文件：42.19 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFETs	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VSOR2001	文件：131.12 Kbytes Page：4 Pages	Molded,25or50MilPitch,Dual-In-LineResistorNetworks	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VSSR2001	文件：131.12 Kbytes Page：4 Pages	Molded,25or50MilPitch,Dual-In-LineResistorNetworks	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VTSR2001	文件：131.12 Kbytes Page：4 Pages	Molded,25or50MilPitch,Dual-In-LineResistorNetworks	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
W2001BP	文件：936.98 Kbytes Page：9 Pages	GoldenGateRFICSolutions	KEYSIGHTKeysight Technologies 是德科技是德科技（中国）有限公司	KEYSIGHT
WCM2001	文件：1.06023 Mbytes Page：9 Pages	N-andP-ChannelComplementary,20V,MOSFET	WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd.Shanghai 韦尔股份上海韦尔半导体股份有限公司	WILLSEMI
WH2001	文件：734.01 Kbytes Page：16 Pages	Surface-mountedchipLEDdevice	SEOULSeoul Semiconductor Co., Ltd. 首尔半导体首尔半导体有限公司	SEOUL
WH2001B	文件：409.15 Kbytes Page：2 Pages	5x7dotsincludescursor	DBLECTRODB Lectro Inc 迪贝电子	DBLECTRO

详细参数

型号：
VQ2001P
功能描述：
MOSFET Quad 30V 0.6A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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