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VQ3001P

Dual N-/Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETs

features LowOn-Resistance:0.8/1.6 LowThreshold:1.5/–3.1V LowInputCapacitance:38/60pF FastSwitchingSpeed:9/16ns LowInputandOutputLeakage benefits LowOffsetVoltage Low-VoltageOperation EasilyDrivenWithoutBuffer High-SpeedCircuits LowErrorV

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

VQ3001P

Dual N-/Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETs

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

W3001

2.4GHzWiFiAntenna

pulse

Pulse A Technitrol Company

XFGM-3001MPGSR

Pre-amplified/5VExcitation/Gauge

FUJIKURAFujikura Ltd.

富士康富士康(中国) 公司

XFGM-3001MPGSR

Pre-amplified/5VExcitation/Gauge

FUJIKURAFujikura Ltd.

富士康富士康(中国) 公司

XL3001

3A220KHz40VBuckLEDConstantCurrentDriver

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

XL3001

3A220KHz40VBuckLEDConstantCurrentDriver

XLSEMIxlsemi

芯龙上海芯龙半导体技术股份有限公司

XO3001

125MHzCrystalOscillator

rfm

RF Monolithics, Inc

YBS3001

BridgeRectifier

YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd

扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司

YBS3001

BridgeRectifiers

Features ULrecognition,file#£313149 Glasspassivatedchipjunction Idealforautomatedplacement Highsurgecurrentcapability MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof260°C

RFERFE international

RFE国际公司RFE国际股份有限公司

详细参数

  • 型号:

    VQ3001P

  • 功能描述:

    MOSFET DUAL N & P CH 30V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多VQ3001P供应商 更新时间2025-7-11 18:18:00