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VNP35N07-E中文资料OMNIFET:全自动保护功率MOSFET数据手册ST规格书

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厂商型号

VNP35N07-E

参数属性

VNP35N07-E 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC)的配电开关负载驱动器;产品描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 TO220AB

功能描述

OMNIFET:全自动保护功率MOSFET
IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 TO220AB

封装外壳

TO-220-3

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:00:00

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VNP35N07-E规格书详情

描述 Description

The VNP35N07-E, VNB35N07-E and VNV35NV07-E are monolithic devices made using STMicroelectronics VIPower®technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs in DC to 50 KHz applications.

Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments.

Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.

特性 Features

• Automotive qualified
• Linear current limitation
• Thermal shutdown
• Short circuit protection
• Integrated clamp
• Low current drawn from input pin
• Diagnostic feedback through input pin
• ESD protection
• Direct access to the gate of the Power MOSFET (analog driving)
• Compatible with standard Power MOSFET
• Standard TO-220 package
• Compliant with 2002/95/EC European directive

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :VNP35N07-E

  • 生产厂家

    :ST

  • Technology

    :M0-2

  • RDS(on)_typ(mΩ)

    :28

  • General Description

    :OMNIFET: fully autoprotected Power MOSFET

  • Marketing Status

    :Active

  • Package

    :TO-220AB

  • RoHS Compliance Grade

    :Ecopack1

  • Clamp Voltage_typ(V)

    :70

  • Drain Current Limit_typ(A)

    :35

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST(意法半导体)
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