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VND3NV04TR-E

OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

Features ■ Linear current limitation ■ Thermal shutdown ■ Short circuit protection ■ Integrated clamp ■ Low current drawn from input pin ■ Diagnostic feedback through input pin ■ ESD protection ■ Direct access to the gate of the Power MOSFET (analog driving) ■ Compatible with standard Po

文件:359.9 Kbytes 页数:26 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VND3NV04-1

OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

文件:493.65 Kbytes 页数:26 Pages

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意法半导体

VND3NV0413TR

OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

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意法半导体

VND3NV04-1-E

OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

文件:493.65 Kbytes 页数:26 Pages

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意法半导体

VND3NV04-E

OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

文件:493.65 Kbytes 页数:26 Pages

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意法半导体

VND3NV04TR-E

OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

文件:493.65 Kbytes 页数:26 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VND3NV0413TR

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:管件 类别:集成电路(IC) 配电开关,负载驱动器 描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VND3NV04-1-E

Package:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA;包装:管件 类别:集成电路(IC) 配电开关,负载驱动器 描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 IPAK

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意法半导体

产品属性

  • 产品编号:

    VND3NV04

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    集成电路(IC) > 配电开关,负载驱动器

  • 系列:

    OMNIFET II™, VIPower™

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 开关类型:

    通用

  • 输出数:

    1

  • 比率 - 输入:

    1:1

  • 输出配置:

    低端

  • 输出类型:

    N 通道

  • 接口:

    开/关

  • 电压 - 负载:

    36V(最大)

  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):

    不需要

  • 电流 - 输出(最大值):

    3.5A

  • 导通电阻(典型值):

    120 毫欧(最大)

  • 输入类型:

    非反相

  • 故障保护:

    限流(固定),超温,过压

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 供应商器件封装:

    DPAK

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 描述:

    IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1

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更多VND3NV04供应商 更新时间2026-1-29 10:16:00