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VND3NV04-1-E	文件：359.9 Kbytes Page：26 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET Features ■ Linear current limitation ■ Thermal shutdown ■ Short circuit protection ■ Integrated clamp ■ Low current drawn from input pin ■ Diagnostic feedback through input pin ■ ESD protection ■ Direct access to the gate of the Power MOSFET (analog driving) ■ Compatible with standard Po 文件：359.9 Kbytes 页数：26 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VND3NV04-1-E	文件：493.65 Kbytes Page：26 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET 文件：493.65 Kbytes 页数：26 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VND3NV04-1-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA；包装：管件类别：集成电路（IC）配电开关，负载驱动器描述：IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 IPAK	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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VND3NV04-1	文件：418.58 Kbytes Page：21 Pages	?쏰MNIFET II?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET Description The VNN3NV04, VNS3NV04, VND3NV04 VND3NV04-1, are monolithic devices designed in STMicroelectronics VIPower M0-3 Technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 50 kHz applications. Features ■ Linear current limitation ■ Thermal shutdown ■ Short circuit 文件：418.58 Kbytes 页数：21 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
VND3NV04-1-E
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 配电开关，负载驱动器
系列：
OMNIFET II™, VIPower™
包装：
管件
开关类型：
通用
输出数：
1
比率 - 输入：
1：1
输出配置：
低端
输出类型：
N 通道
接口：
开/关
电压 - 负载：
36V（最大）
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
不需要
电流 - 输出（最大值）：
3.5A
导通电阻（典型值）：
120 毫欧（最大）
输入类型：
非反相
故障保护：
限流（固定），超温，过压
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
供应商器件封装：
I-PAK
封装/外壳：
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
描述：
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1

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