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VN10LM

FET Transistor, Small-Signal Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS

NJS

NJS

VN10LP

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOSFET

Diodes

美台半导体

技术参数

  • Automotive Compliant PPAP:

    No

  • Polarity:

    N

  • ESD Diodes:

    No

  • VDS:

    60 V

  • VGS:

    20 ±V

  • IDS @ TA = +25°C:

    0.27 A

  • PD @ TA = +25°C:

    0.625 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V):

    5000 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V):

    7500 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V):

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V):

    N/A mΩ

  • VGS (th) Max:

    2.5 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC):

    N/A nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC):

    N/A nC

  • Packages:

    E-Line

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更多VN10L供应商 更新时间2025-11-25 19:32:00