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VN05N	文件：194.58 Kbytes Page：11 Pages	HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY Description The VN05N is a monolithic device made using STMicroelectronics VIPower technology, intended for driving resistive or inductive loads with one side grounded. Built-in thermal shutdown protects the chip from over temperature and short circuit. The input control is 5V logic level compa 文件：194.58 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VN05N011Y	文件：194.58 Kbytes Page：11 Pages	HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY Description The VN05N is a monolithic device made using STMicroelectronics VIPower technology, intended for driving resistive or inductive loads with one side grounded. Built-in thermal shutdown protects the chip from over temperature and short circuit. The input control is 5V logic level compa 文件：194.58 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VN05N012Y	文件：194.58 Kbytes Page：11 Pages	HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY Description The VN05N is a monolithic device made using STMicroelectronics VIPower technology, intended for driving resistive or inductive loads with one side grounded. Built-in thermal shutdown protects the chip from over temperature and short circuit. The input control is 5V logic level compa 文件：194.58 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VN05N-E	文件：307.35 Kbytes Page：16 Pages	High side smart power solid state relay Description The VN05N is a monolithic device made using STMicroelectronics VIPower technology, intended for driving resistive or inductive loads with one side grounded. Built-in thermal shutdown protects the chip from over temperature and short circuit. The input control is 5V logic level compa 文件：307.35 Kbytes 页数：16 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VN05NSP	文件：97.78 Kbytes Page：9 Pages	HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY DESCRIPTION The VN05NSP is a monolithic devices made using STMicroelectronics VIPower Technology, intended for driving resistive or inductive loads with one side grounded. Built-in thermal shut-down protects the chip from over temperature and short circuit. The input control is 5V logic level c 文件：97.78 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VN05N	文件：300 bytes Page：1 Pages	HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY	ST 意法半导体	ST
VN05N	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：Pentawatt-5（垂直，弯曲和错列引线）；包装：管件类别：集成电路（IC）配电开关，负载驱动器描述：IC PWR DRVR N-CH 1:1 5PENTAWATT	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VN05N-E	文件：300 bytes Page：1 Pages	High side smart power solid state relay	ST 意法半导体	ST
VN05N-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：Pentawatt-5（垂直，弯曲和错列引线）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）配电开关，负载驱动器描述：IC PWR DRVR N-CH 1:1 5PENTAWATT	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
VN05N
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 配电开关，负载驱动器
包装：
管件
开关类型：
通用
输出数：
1
比率 - 输入：
1：1
输出配置：
高端
输出类型：
N 通道
接口：
开/关
电压 - 负载：
7V ~ 26V
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
不需要
电流 - 输出（最大值）：
13A
导通电阻（典型值）：
180 毫欧（最大）
输入类型：
非反相
特性：
状态标志
故障保护：
开路负载检测，超温
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
供应商器件封装：
5-PENTAWATT
封装/外壳：
Pentawatt-5（垂直，弯曲和错列引线）
描述：
IC PWR DRVR N-CH 1

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