0.5 to 18 GHz Low Noise E-PHEMT in a Wafer Scale Package

文件：837.68 Kbytes 页数：12 Pages

AVAGO

安华高

0.5 to 18 GHz Low Noise E-PHEMT in a Wafer Scale Package

文件：234.56 Kbytes 页数：12 Pages

BOARDCOM

博通

0.5 到 18 GHz 低噪声 E-pHEMT（晶片级封装）

Broadcom 将其行业领先的 E-PHEMT 技术结合到了革命性的芯片级封装中。VMMK-1218 可以产生具有远离单一位置直流电源而产生具有高动态范围、高增益和低噪声系数的 LNA。 ·超小型 0402（1 毫米 x 0.5 毫米）表面贴装无铅封装\n·高度低（0.25 毫米）\n·频率范围 0.5 到 18GHz\n·增强模式 [1]\n·0.25 微米门宽\n·卷带式封装可供选择\n·在 120°C 通道温度下，Point MTTF > 300 年;

Broadcom

博通

0.5 to 18 GHz Low Noise E-PHEMT in a Wafer Scale Package

文件：234.56 Kbytes 页数：12 Pages

AVAGO

安华高

0.5 to 18 GHz Low Noise E-PHEMT in a Wafer Scale Package

文件：837.68 Kbytes 页数：12 Pages

AVAGO

安华高

0.5 to 18 GHz Low Noise E-PHEMT in a Wafer Scale Package

文件：837.68 Kbytes 页数：12 Pages

AVAGO

安华高

Package：0402（1005 公制）；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 描述：FET RF 5V 10GHZ 0402

BOARDCOM

博通

Package：0402（1005 公制）；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 描述：FET RF 5V 10GHZ 0402

BOARDCOM

博通