VMMK-1218中文资料0.5 到 18 GHz 低噪声 E-pHEMT（晶片级封装）数据手册Broadcom规格书

描述 Description

Broadcom 将其行业领先的 E-PHEMT 技术结合到了革命性的芯片级封装中。VMMK-1218 可以产生具有远离单一位置直流电源而产生具有高动态范围、高增益和低噪声系数的 LNA。

特性 Features

·超小型 0402（1 毫米 x 0.5 毫米）表面贴装无铅封装
·高度低（0.25 毫米）
·频率范围 0.5 到 18GHz
·增强模式 [1]
·0.25 微米门宽
·卷带式封装可供选择
·在 120°C 通道温度下，Point MTTF > 300 年

简介

VMMK-1218属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的VMMK-1218晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。