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VMMK-1218数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF

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厂商型号

VMMK-1218

参数属性

VMMK-1218 封装/外壳为0402(1005 公制);包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:FET RF 5V 10GHZ 0402

功能描述

0.5 到 18 GHz 低噪声 E-pHEMT(晶片级封装)

封装外壳

0402(1005 公制)

制造商

Broadcom Broadcom Corporation.

中文名称

博通公司 博通半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-7 18:12:00

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VMMK-1218规格书详情

描述 Description

Broadcom 将其行业领先的 E-PHEMT 技术结合到了革命性的芯片级封装中。VMMK-1218 可以产生具有远离单一位置直流电源而产生具有高动态范围、高增益和低噪声系数的 LNA。


特性 Features

·超小型 0402(1 毫米 x 0.5 毫米)表面贴装无铅封装
·高度低(0.25 毫米)
·频率范围 0.5 到 18GHz
·增强模式 [1]
·0.25 微米门宽
·卷带式封装可供选择
·在 120°C 通道温度下,Point MTTF > 300 年

技术参数

  • 制造商编号

    :VMMK-1218

  • 生产厂家

    :Broadcom

  • Distrib. Inventory

    :Yes

  • RoHS6 Compliant

    :Y

  • Frequency Range (GHz)

  • IIP3 (dBm)

  • Control Input (Vdc)

  • Frequency (GHz)

    :0.5-18

  • Bias Condition (V@mA)

    :3V@20mA

  • NF (dB)

    :0.81

  • Gain (dB)

    :9

  • P1dB (dBm)

    :12

  • OIP3 (dBm)

    :22

  • Package

    :SMT 1.05x0.55

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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