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VI20120SG-E3中文资料High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A数据手册Vishay规格书

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厂商型号

VI20120SG-E3

参数属性

VI20120SG-E3 封装/外壳为TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO262AA

功能描述

High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A

封装外壳

TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世 威世科技公司

数据手册

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更新时间

2025-11-25 17:20:00

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VI20120SG-E3规格书详情

特性 Features

Trench MOS Schottky technology
Low forward voltage drop, low power losses
High efficiency operation

应用 Application

For use in high frequency converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, DC/DC converters and reverse battery protection.

技术参数

  • 产品编号:

    VI20120SG-E3/4W

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    20A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

  • 供应商器件封装:

    TO-262AA

  • 工作温度 - 结:

    -40°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO262AA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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