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VI20120S-E3中文资料High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A数据手册Vishay规格书
| 厂商型号 |
VI20120S-E3 |
| 参数属性 | VI20120S-E3 封装/外壳为TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO262AA |
| 功能描述 | High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A |
| 封装外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 制造商 | Vishay Vishay Siliconix |
| 中文名称 | 威世科技 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-30 9:15:00 |
| 人工找货 | VI20120S-E3价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
VI20120S-E3规格书详情
特性 Features
Trench MOS Schottky technology
Low forward voltage drop, low power losses
High efficiency operation
应用 Application
For use in high frequency converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, DC/DC converters and reverse battery protection.
技术参数
- 产品编号：
VI20120S-E3/4W
- 制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 系列：
TMBS®
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 二极管类型：
肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io)：
20A
- 速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商器件封装：
TO-262AA
- 工作温度 - 结：
-40°C ~ 150°C
- 描述：
DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO262AA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VICOR |
23+24 |
12V-12V-75W |
2980 |
模块专业供货,优势现货,价格市场最优! |
询价 | ||
VISHAY |
24+ |
TO262AA |
8000 |
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询价 | ||
VISHAY |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
24+ |
N/A |
51000 |
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VISHAY原装 |
24+ |
TO-262 |
30980 |
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VICOR |
23+ |
模块 |
900 |
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VICOR |
24+ |
模块 |
6430 |
原装现货/欢迎来电咨询 |
询价 | ||
VICOR |
2015 |
模块 |
300 |
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VICOR |
24+ |
12V-12V-75W |
6868 |
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VISHAY |
23+ |
TO262AA |
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