VI20120S中文资料High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A数据手册Vishay规格书
| 厂商型号 |
VI20120S |
| 参数属性 | VI20120S 封装/外壳为TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO262AA |
| 功能描述 | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A |
| 封装外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 制造商 | Vishay Vishay Siliconix |
| 中文名称 | 威世科技 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-30 8:01:00 |
| 人工找货 | VI20120S价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
VI20120S规格书详情
特性 Features
Trench MOS Schottky technology
Low forward voltage drop, low power losses
High efficiency operation
应用 Application
For use in high frequency DC/DC converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and reverse battery protection.
技术参数
- 产品编号：
VI20120SG-E3/4W
- 制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装：
卷带（TR）
- 二极管类型：
肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io)：
20A
- 速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商器件封装：
TO-262AA
- 工作温度 - 结：
-40°C ~ 150°C
- 描述：
DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO262AA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
23+ |
TO262AA |
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VISHAY |
23+ |
TO262AA |
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原厂原装正品 |
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VISHAY |
24+ |
TO262AA |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
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Vishay/GeneralSemiconduc |
24+ |
TO-262AA |
620 |
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VISHAY |
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