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VI20120S数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

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厂商型号

VI20120S

参数属性

VI20120S 封装/外壳为TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO262AA

功能描述

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

封装外壳

TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世科技 威世科技半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-10 12:00:00

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VI20120S规格书详情

特性 Features

Trench MOS Schottky technology
Low forward voltage drop, low power losses
High efficiency operation

应用 Application

For use in high frequency DC/DC converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and reverse battery protection.

技术参数

  • 产品编号:

    VI20120SG-E3/4W

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    20A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

  • 供应商器件封装:

    TO-262AA

  • 工作温度 - 结:

    -40°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO262AA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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