VI20120C-E3SLASH4W中文资料威世科技数据手册PDF规格书

厂商型号	VI20120C-E3SLASH4W
功能描述	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A
文件大小	167.06 Kbytes
页面数量	5 页
生产厂商	Vishay Vishay Siliconix
中文名称	威世科技
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更新时间	2025-10-5 16:50:00
人工找货	VI20120C-E3SLASH4W价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

FEATURES

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)

• Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA package)

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC

TYPICAL APPLICATIONS

For use in high frequency inverters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, dc-to-dc converters and reverse battery protection.

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