Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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威世科技

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.40 V at IF = 5 A

分立 Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;

Vishay

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Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;

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Package：TO-220-3 全封装，隔离接片；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE SCHOTTKY 15A 60V ITO-220AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-220-3 全封装，隔离接片；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE SCHOTTKY 30A 60V ITO-220AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division