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VFT3060G-E3中文资料Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier数据手册Vishay规格书

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厂商型号

VFT3060G-E3

参数属性

VFT3060G-E3 封装/外壳为TO-220-3 全封装,隔离接片;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE SCHOTTKY 15A 60V ITO-220AB

功能描述

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

封装外壳

TO-220-3 全封装,隔离接片

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世科技

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-26 22:59:00

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VFT3060G-E3规格书详情

特性 Features

Trench MOS Schottky technology
Low forward voltage drop, low power losses
High efficiency operation

应用 Application

For use in high frequency inverters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, DC/DC converters and reverse battery protection.

技术参数

  • 产品编号:

    VFT3060G-E3/4W

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管配置:

    1 对共阴极

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):

    15A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 全封装,隔离接片

  • 供应商器件封装:

    ITO-220AB

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 15A 60V ITO-220AB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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