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VFT2060G | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION 文件：127.94 Kbytes 页数：4 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | |
VFT2060G | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：79.25 Kbytes 页数：4 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION 文件：127.94 Kbytes 页数：4 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB a 文件：202.05 Kbytes 页数：6 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
Low forward voltage drop, low power losses FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB and 文件：156.77 Kbytes 页数：6 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：79.84 Kbytes 页数：4 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：173.6 Kbytes 页数：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：173.6 Kbytes 页数：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
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详细参数
- 型号：
VFT2060G
- 制造商：
VISHAY
- 制造商全称：
Vishay Siliconix
- 功能描述：
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
18+ |
TO-220F |
41200 |
原装正品,现货特价 |
询价 | ||
亿光 |
23+ |
SOP-4 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
询价 | ||
22+ |
TO220F |
20000 |
只做原装 |
询价 | |||
VISHAY |
25+23+ |
TO220 |
67022 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
询价 | ||
VISHAY |
25+ |
TO-220 |
3675 |
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询价 | ||
VISHAY |
23+ |
TO220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
Vishay Semiconductor Diodes Di |
22+ |
ITO220AB |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
ITO-220AB |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
VISHAY |
1109+ |
TO220 |
63 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
Vishay General Semiconductor - |
25+ |
TO-220-3 全封装 隔离接片 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 |
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