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VFT4060C	文件：128.919 Kbytes Page：4 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in 文件：128.919 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VFT4060C	文件：79.74 Kbytes Page：4 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：79.74 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VFT4060C_V01	文件：128.919 Kbytes Page：4 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in 文件：128.919 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VFT4060C-E3	文件：128.729 Kbytes Page：4 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in 文件：128.729 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VFT4060C-E3_V01	文件：128.729 Kbytes Page：4 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in 文件：128.729 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VFT4060C_15	文件：80.89 Kbytes Page：4 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：80.89 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VFT4060C-E3	文件：88.11 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Schottky technology 文件：88.11 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VFT4060C-E3_15	文件：78.64 Kbytes Page：4 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：78.64 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VFT4060C-E3-4W	文件：79.74 Kbytes Page：4 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：79.74 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VFT4060C	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.32 V at IF = 5.0 A 分立 Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;	Vishay 威世科技	Vishay

详细参数

型号：
VFT4060C
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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