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VFT1060C-M3-4W中文资料威世科技数据手册PDF规格书

VFT1060C-M3-4W
厂商型号

VFT1060C-M3-4W

功能描述

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件大小

79.08 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Vishay Siliconix
企业简称

VISHAY威世科技

中文名称

威世科技半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-5 20:37:00

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VFT1060C-M3-4W规格书详情

FEATURES

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)

• Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA package)

• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC

TYPICAL APPLICATIONS

    For use in high frequency inverters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, dc-to-dc converters and reverse battery protection.

产品属性

  • 型号:

    VFT1060C-M3-4W

  • 制造商:

    VISHAY

  • 制造商全称:

    Vishay Siliconix

  • 功能描述:

    Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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