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VFT1060C-M3-4W | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220ABand | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | |
DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220ABand | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220ABand | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay |
详细参数
- 型号：
VFT1060C-M3-4W
- 制造商：
VISHAY
- 制造商全称：
Vishay Siliconix
- 功能描述：
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TECCOR/LITT |
23+ |
TO-220 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | |||
Vishay Semiconductor Diodes Di |
22+ |
ITO220AB |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
VISHAY |
1809+ |
TO-220 |
3675 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
询价 | ||
Vishay General Semiconductor - |
25+ |
TO-220-3 全封装 隔离接片 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
N/A |
23+ |
CAN |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
N/A |
CAN |
3 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | |||
N/A |
2023+ |
CAN |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 | ||
ASI |
24+ |
260 |
现货供应 |
询价 | |||
ASI |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 |
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