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VFT1060C分立半导体产品的二极管-整流器-阵列规格书PDF中文资料

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厂商型号

VFT1060C

参数属性

VFT1060C 封装/外壳为TO-220-3 全封装,隔离接片;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE SCHOTTKY 10A 60V ITO-220AB

功能描述

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

封装外壳

TO-220-3 全封装,隔离接片

文件大小

79.08 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世 威世科技公司

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数据手册

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更新时间

2025-11-30 23:00:00

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VFT1060C规格书详情

FEATURES

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)

• Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA package)

• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC

TYPICAL APPLICATIONS

    For use in high frequency inverters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, dc-to-dc converters and reverse battery protection.

产品属性

  • 产品编号:

    VFT1060C-M3/4W

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列

  • 系列:

    TMBS®

  • 包装:

    管件

  • 二极管配置:

    1 对共阴极

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):

    5A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 工作温度 - 结:

    -40°C ~ 150°C

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 全封装,隔离接片

  • 供应商器件封装:

    ITO-220AB

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 10A 60V ITO-220AB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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