VF5

Cooling Fan for V-Series Units

VF5

Diffused Silicon Junction

VF526DT

锁存双数字式霍尔效应传感器集成电路，带速度和方向输出。SOT-89B（卷带和卷盘）封装。双吸电流输出; ·Miniature construction:SOT-89B plastic package, on tape and reel for automated assembly\n·Power comsumption of only 5 mA max at 4.5 Vdc for energy efficiency\n·Digital current sinking output\n·Bipolar magnetics for ring magnet applications\n·High output current capability (20 mA)\n·High speed—Operates from 0 kHz to over 100 kHz\n·Broad temperature range of -40 °C to 125 °C [-40 °F to 257 °F]\n·Built-in reverse polarity protection;

该 VF526DT 双极锁存、双霍尔效应数字式位置传感器配备两个霍尔感应元件，位于距单集成电路芯片 1,4 mm [0.055 in] 处。元件被封装在热固性成型材料中。\n 两个主动式的锁存式霍尔传感器指示出越过封装表面的磁场梯度的速度和方向，如旋转环形磁铁的梯度。\n 小巧的 4 针 SOT-89B 式封装，可在印刷电路板上和柔性电路中进行表面安装。VF526DT̵7 内置温度补偿功能，旨在匹配低成本磁体的温度系数，可用于组成性能可靠但成本低廉的传感器-磁体组合。\n 独特的稳压电路，可在3.4 Vdc 至 24 Vdc 的电源电压条件下提供超稳定的操作。它可直接连接到各种电子组件，无需缓冲或补偿电路。\n

VF50

Diffused Silicon Junction

VF5-10

High voltage diffused silicon power rectifiers

VF5-10

HIGH VOLTAGE DIFFUSED SILICON POWER RECTIFIERS

VF5-10X

High voltage diffused silicon power rectifiers

VF5-10X

HIGH VOLTAGE DIFFUSED SILICON POWER RECTIFIERS

VF5-12

High voltage diffused silicon power rectifiers

VF5-12

HIGH VOLTAGE DIFFUSED SILICON POWER RECTIFIERS