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VF30200C | Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Lowthermalresistance •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106 | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | |
VF30200C | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | |
VF30200C | Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | |
VF30200C | Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
Package:TO-220-3 全封装,隔离接片;包装:管件 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V ITO220 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
详细参数
- 型号:
VF30200C
- 制造商:
VISHAY
- 制造商全称:
Vishay Siliconix
- 功能描述:
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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中性 |
23+ |
TO220F-3 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
性 |
24+ |
NA/ |
3260 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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VISHAY |
24+ |
TO-220F |
56000 |
公司进口原装现货 批量特价支持 |
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VISHAY |
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TO-220F |
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VISHAY/威世 |
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TO-220F |
60000 |
全新原装现货 |
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VISHAY |
25+23+ |
TO-220 |
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绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
vishay |
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TR |
30000 |
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VISHAY/威世 |
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TO-220F |
50000 |
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