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VF40150C	文件：127.95 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION 文件：127.95 Kbytes 页数：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40150C	文件：168.66 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A 文件：168.66 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40150C	文件：162.16 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：162.16 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40150C	文件：79.25 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：79.25 Kbytes 页数：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40150C	文件：163.73 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier5 文件：163.73 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40150C	文件：158.4 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：158.4 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40150C_V01	文件：127.95 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION 文件：127.95 Kbytes 页数：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40150C-E3	文件：216.39 Kbytes Page：6 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB 文件：216.39 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40150C_10	文件：79.25 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：79.25 Kbytes 页数：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40150C-E3	文件：157.16 Kbytes Page：6 Pages	Low forward voltage drop, low power losses 文件：157.16 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

详细参数

型号：
VF40150C
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市安富世纪电子有限公司	VF40150C	VISHAY	23+	TO220F	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	VF40150C	VISHAY/威世	23+	TO-220F	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	VF40150C	VISHAY/威世	22+	TO-220	6000	十年配单,只做原装	询价
深圳市威雅利发展有限公司	VF40150C	VISHAY	0714+	TO220F	33	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市科翼源电子有限公司	VF40150C	VISHAY	23+	TO220F	2533	原厂原装正品	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	VF40150C	VISHAY/威世	24+	TO220F	990000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	VF40150C	VISHAY	25+	TO-TO-220	12300	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
深圳市博中泰实业有限公司	VF40150C	VISHAY/威世	24+	TO-220F	60000		询价
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更多VF40150C供应商更新时间2026-1-21 13:01:00

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