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VF30120C	文件：168.11 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier UltraLowVF=0.50VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •AEC-Q101qualified	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VF30120C	文件：127.38 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s, perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VF30120C	文件：78.73 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VF30120C	文件：158.28 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VF30120C_V01	文件：127.38 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s, perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VF30120C-E3	文件：157.09 Kbytes Page：6 Pages	Trench MOS Schottky technology DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier UltraLowVF=0.50VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263AB	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VF30120C-E3/4W	文件：168.11 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier UltraLowVF=0.50VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •AEC-Q101qualified	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VF30120C-E3SLASH4W	文件：168.11 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier UltraLowVF=0.50VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •AEC-Q101qualified	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VF30120C_10	文件：78.73 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VF30120C-E3/4W	文件：163.22 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
VF30120C
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市得捷芯城科技有限公司	VF30120C	Vishay(威世)	24+	标准封装	8248	原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期	询价
深圳市博浩通科技有限公司	VF30120C	VISHAY	23+	TO-220	8600	全新原装现货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	VF30120C	VISHAY/威世	23+	TO-220F	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	VF30120C	VISHAY/威世	2022+	TO-220	12888	原厂代理终端免费提供样品	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	VF30120C	-	23+	TO-220F	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	VF30120C	VISHAY/威世通	23+	TO-220	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市维基鸿电子有限公司	VF30120C	VISHAY/威世	24+	TO-220F	10000	全新原装现货库存	询价
深圳市创新迹电子有限公司	VF30120C	VISHAY/威世通	22+	TO-220	25000	只做原装进口现货,专注配单	询价
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深圳市华斯顿科技有限公司	VF30120C-E3/4W	VISHAY	25+23+	TO-220F	15496	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价

更多VF30120C供应商更新时间2025-5-29 23:01:00

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