Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

Trench MOS Schottky technology\nMeets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for D2PAK (TO-263AB) package)\nLow forward voltage drop, low power losses;

Vishay

威世

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A

分立 ·Trench MOS Schottky technology\n·Low forward voltage drop, low power losses\n·High efficiency operation;

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肖特基二极管与整流器 20A,100V,TRENCH SKY RECT.

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Package：TO-220-3 全封装，隔离接片；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE SCHOTTKY 20A 100V ITO220AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-220-3 全封装，隔离接片；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V ITO220

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-220-3 全封装，隔离接片；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE SCHOTTKY 100V 20A ITO220AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division