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SE8119AKXLF	文件：232.94 Kbytes Page：6 Pages	800mAPositiveVoltageRegulators	SEAWARDSEAWARD electronics inc 思旺北京思旺电子技术有限公司	SEAWARD
SE8119AKXLF/HF	文件：232.94 Kbytes Page：6 Pages	800mAPositiveVoltageRegulators	SEAWARDSEAWARD electronics inc 思旺北京思旺电子技术有限公司	SEAWARD
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SE8119C	文件：217.55 Kbytes Page：5 Pages	800mAPositiveVoltageRegulators	SEAWARDSEAWARD electronics inc 思旺北京思旺电子技术有限公司	SEAWARD
TA8119P	文件：402.2 Kbytes Page：10 Pages	STEREOHEADPHONEAMPLIFIER(3VUSE)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPC8119	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPC8119	文件：206.95 Kbytes Page：7 Pages	FieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOSV) Lithium-IonBatteryApplications LoadswitchApplications NotebookPCApplications •Smallfootprintduetoasmallandthinpackage •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=10mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=24S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
UPC8119T	文件：663.95 Kbytes Page：52 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUITS FEATURES •Recommendedoperatingfrequency:f=100MHzto1.92GHz •Supplyvoltage:VCC=2.7to3.3V •Lowcurrentconsumption:ICC=11mATYP.@VCC=3.0V •Gaincontrolvoltage:VAGC=0.6to2.4V(recommended) •Twotypesofgaincontrol:μPC8119T;VAGCupvs.Gaindown(Forw	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC8119T	文件：371.8 Kbytes Page：40 Pages	-15dBmINPUT,VARIABLEGAINAMPLIFIERSILICONMMICFORTRANSMITTERAGCOFDIGITALCELLULARTELEPHONE DESCRIPTION TheµPC8130TAandµPC8131TAaresiliconmonolithicintegratedcircuitsdesignedasvariablegainamplifier.Dueto800MHzto1.5GHzoperation,theseICsaresuitableforRFtransmitterAGCstageofdigitalcellulartelephone.TheseICsarelowerdistortionthanconventionalµPC8119T	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC8119T	文件：550.61 Kbytes Page：52 Pages	VARIABLEGAINAMPLIFIERSILICONMMICFORTRANSMITTERAGCOFDIGITALCELLULARTELEPHONE DESCRIPTION TheµPC8119TandµPC8120Taresiliconmonolithicintegratedcircuitsdesignedasvariablegainamplifier.Dueto100MHzto1.9GHzoperation,theseICsaresuitableforRFtransmitterAGCstageofdigitalcellulartelephone.Twotypesofgaincontrolletuserschooseinaccordancewi	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

产品属性

产品编号：
VCMB8119-RC
制造商：
Allied Components International
类别：
滤波器 > 共模扼流圈
系列：
VCMB810
包装：
卷带（TR）
线路数：
2
额定电流（最大）：
14.5A
DC 电阻 (DCR)（最大值）：
12 毫欧
工作温度：
-55°C ~ 105°C
安装类型：
通孔
大小 / 尺寸：
1.700" 长 x 0.900" 宽（43.18mm x 22.86mm）
高度（最大值）：
1.650"（41.91mm）
封装/外壳：
径向，垂直，4 引线（开放）
描述：
4mH Min 14.5A Common Mode Choke

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