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VBM155R24

Power MOSFET

FEATURES • Optimal Design - Low Area Specific On-Resistance - Low Input Capacitance (Ciss) - Reduced Capacitive Switching Losses - High Body Diode Ruggedness - Avalanche Energy Rated (UIS) • Optimal Efficiency and Operation - Low Cost - Simple Gate Drive Circuitry - Low Figure-of-Merit (

文件:450.13 Kbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

VBPW34FASR

2-SMD

VISHAY/威世

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VBsemi(台湾微碧)
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更多VBM155R24供应商 更新时间2025-12-11 15:01:00